据悉,近日东芝称,它将于明年在NAND闪存芯片上采用52nm技术,将闪存芯片的读取速度从现在的6MB/s,大幅提升一倍,达到12MB/s。而目前,东芝的绝大多数闪存芯片产品,都是采用90nm生产工艺,而首批52nm芯片的存储容量将会达到2GB。
TOSHIBA的NAND型FLASH闪存芯片,型号TC58512FT
众所周知,随着Apple iPod闪存MP3播放器新品的上市,其惊人的销量也带来了NAND闪存需求量的猛增,Hynix等公司都已经开始增产,东芝公司也在竞争的压力之下,宣布要提升产能,以努力保住现有的市场份额。
据称,目前在全球闪存供应商中,Gartner数据显示居于首位的是韩国三星电子,东芝是全球第二大闪存供应商,而Hynix则有能在2005年底居于全球第三位闪存供应商。(第三媒体 2005-11-22)