|
|
|
|
|
IBM内存: IBM三厂家研发新型内存 领先现有技术9年 |
|
|
作者：第三媒体
来源：www.thethirdmedia.com
日期：2006-12-12
|
|
|
|
|
|
|
|
|
[摘要]
IBM表示将和Qimonda、Macronix两公司一起展示一种能打败日益崛起的闪存芯片的新型内存。三家公司将在12月13日旧金山举行的IEEE大会上展出这种新型相变内存。
|
|
[正文]
IBM表示将和Qimonda、Macronix两公司一起展示一种能打败日益崛起的闪存芯片的新型内存。三家公司将在12月13日旧金山举行的IEEE大会上展出这种新型相变内存。
三公司宣称相变内存能令非挥发性内存达到更高密度。IBM实验室的科学家们已经拿出了一个相变内存的原型产品，据称其开关速度比闪存快500倍，横截面积只有3x20纳米。
IBM表示根据摩尔理论，闪存设备要到2015年才能赶上相变内存。这种极有前途的内存技术基于锗锑等元素的半导体。 (2006-12-12)
|
|
|
【 频道首页 】【 评论
】 【 打印
】 【 字体：大
中
小
】
|
|
上一篇：显卡价格: 用户指控ATI和NVIDIA联合控制显卡价格
下一篇：AMD芯片: AMD整合芯片组RS690曝光 联电代工生产 |
|
| 导航：报价 | 大全 | 排行榜 | 产品大全 | 参量 | 订阅 |
|
|
