Intel 965/975芯片组和AMD的AM2平台的推出，预示着在内存方面的需求已经转入了DDR2的阵营。诸多原因促成DDR2内存成为当今市场的主流， 但是其中一项重要因素还是DDR2内存本身具有的强大优势。
实际上以DDR2的架构（内部使用四倍数据预取）能够以较低的Cell（核心）频率获得较高的数据传输率，举例来说，DDR2 800和DDR 400的Cell频率是一样的，因此DDR2的成本可以更低，DDR2的价格低于DDR也并不难理解。
2006年5月，宇瞻领先行业推出DDR2 800 Unbuffered内存，再一次走在了行业的最前端。据悉，宇瞻DDR2 800 Unbuffered内存特别针对Intel Broadwater965与975系列与AMD Socket AM2架构高阶芯片组计算机平台所设计，符合JEDEC标准规范，采用Samsung原厂先进90奈米制程颗粒，搭配六层电路板，频宽每秒最高可达6.4GB，在双信道的模式下每秒频宽更可高达12.8GB。
宇瞻DDR2 800 Unbuffered 1GB内存
宇瞻DDR2 800 Unbuffered内存采用了三星K4T51083QC颗粒，FBGA封装模式。SEC K4T51083QC为512兆位颗粒，使用32Mbit×4 I/Os×4 banks配置，它的最高传输速率可以达到800Mb/sec/pin (DDR2-800)。它具有DDR2所拥有的posted CAS和附加延时，写延时=读延时-1。而OCD阻抗校正和内建的终结电阻（ODT），所有的控制和地址输入同步于一对差分时钟信号。输入锁定差分时钟的交差点（crosspoint），提供精确的时钟信号。
三星K4T51083QC颗粒
宇瞻DDR2 800 Unbuffered内存制作工艺精湛，品质优良，在媒体评测中创造了DDR2 800内存有史以来最好的成绩。本次测试是在Intel 975X+ICH7R平台下，采用两根宇瞻DDR2 800 Unbuffered 1GB内存组成双通道模式。
