Intel和美光宣布已经开始在业界率先试验性生产50nm工艺的NAND闪存。 通过联合投资兴建的IM Flash Technologies,Intel和美光正在使用新工艺试生产4Gb容量的NAND闪存,预计2007年的某个时候投入量产,不过双方都没有透露届时的容量。
美光在2004年进入NAND闪存领域,目前排名第五,份额约4%;Intel虽然是第二大NOR闪存生产商,但在NAND闪存业内还是新手;三星则以50%以上的份额称霸,并且上周刚刚宣布了采用60nm工艺的8Gb NAND闪存,本季度即可上市。
今年1月,Intel和美光各自投资约12亿美元成立了IM Flash Technologies,用于为双方生产NAND闪存,并且进展顺利,还得到了苹果的青睐,此次投入试验的50nm工艺即来自这里。
据预计,NAND市场今年的价值可达130-160亿美元,2010约为250-300亿美元。
(2006-07-26)