近日,英特尔(Intel)宣布研发出1种速度更快且更省电的新型晶体管。这种晶体管乃利用新型材料锑化铟(indium antimonide)导电,极为省电且散热功能佳,处理速度可提升50%,但所需电力只要原来的十分之一。预计10~15年内可开始量产,运用在该公司的微处理器等逻辑产品。
英特尔表示,这种新型晶体管将在未来的计算机平台发展上扮演着极为重要的角色,计算机将因此具有更多功能与特性,而其省电与散热佳的特点,将使携带式计算机产品的电池更为长寿,计算机产品也可以做得更小,功能更强。
据英特尔介绍,这项研究结果让英特尔更有信心,相信摩尔定律(Moore''s Law,指芯片内的晶体管数每隔1年就会加倍)可因此进一步延续适用到2015年以后。这项技术乃由英特尔与英国研究机构QinetiQ共同研发。
据了解,再此之前提升芯片功能的传统做法,是给芯片装上更多的晶体管,但这样会产生漏电问题,导致芯片散热不佳极易产生故障,因此众家半导体厂商都希望找出能提升芯片功能且省电的方法,除了英特尔以外,超微(AMD)、IBM等也都在积极研究解决之道;超微与IBM已宣布联手为65奈米制程研发出2种新型应变矽晶(strained silicon),能大幅提升处理器的功能,并降低耗电。(第三媒体 2005-12-12)